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在全球争夺AI基础设施产能背景下,越来越多存储芯片品类开始面临紧俏行情,产能转移造成的供需缺口正在持续放大。
在三星、铠侠、美光等国际大厂集体退出MLC(Multi-Level Cell,多层单元) NAND闪存市场的背景下,这一曾经不起眼的“老兵”,产品价格近期暴涨300%。由此造成的供应缺口,正对汽车电子、工业控制、医疗设备等产业造成潜在影响。
NAND行业的发展规律是通过纵向堆叠来进行扩容,MLC正如其名,一般采用二维平面堆叠方式,也就是2D NAND。目前行业主流已经迭代到TLC(Triple-Level Cell,三层单元)和QLC(Quad-Level Cell,四层单元)阶段,也就是进入3D NAND维度。
因此不难发现,上游存储供应商决定将MLC逐渐停产,有基于产品自身迭代的因素考量,也有将更多产能留给利润空间更高的产品的考虑。随着海外大厂陆续停产,也为国内产业链厂商带来一定发展机会。
涨价传导,供应断层
上游存储原厂在整体产能有限条件下,正退出一些薄利市场,MLC NAND就在此之列。
近期,Kioxia(铠侠)宣布停产部分旧制程产品,其中小容量TSOP封装产品、部分传统浮栅式(Floating Gate)2D NAND以及第三代BiCS FLASH产品将逐步退出市场。
TSOP封装主要用于低容量MLC NAND Flash存储器,有观点认为,此次铠侠宣布停产,意味着其或将退出该市场。
对此,铠侠中国区董事长兼总裁岡本成之近日回应道,这是基于新旧技术更替的考虑,也是行业普遍现象。
不止铠侠,此前三星、SK海力士和美光,也陆续宣布,MLC相关产品进入生命周期终结阶段,相关产线不再扩产。
据研究机构TrendForce集邦咨询调查,SK海力士和美光基本将MLC产量限制在满足现有客户需求的水平,缺乏扩产动力。因此,2026年全球MLC NAND闪存产能预计将同比下降41.7%,进一步加剧供需失衡。
一名存储行业从业者也向21世纪经济报道记者分析,产业链上游的存储原厂在技术迭代和利润目标驱动下,根据生命周期管理需要,对落后制程的产品进行淘汰,是行业性正常的产品开发行为。同时,将优质产能集中于企业级等高附加值领域也是普遍趋势。
在产能极为有限的背景下,MLC NAND这类“高龄”产品的价格反而开始大幅上扬。
CFM闪存市场分析师杨伊婷告诉21世纪经济报道记者,消费类MLC eMMC原厂供应基本已经停止,三星车规级MLC明年一季度停止供应,使得现货市场MLC eMMC价格涨幅剧烈,8GB eMMC最高出现110美元的极端价格。
Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi也对21世纪经济报道记者指出,其月度存储追踪数据(Monthly Memory Tracker)显示,MLC NAND价格同比上涨约300%。以16Gb MLC NAND为例,价格从2025年一季度的约3.2美元上涨至预计2026年二季度的约12.9美元。
“这一轮价格上涨主要由MLC产品持续退市(EOL)所引发的供需失衡推动。”Jeongku Choi进一步指出,当前MLC NAND价格快速上涨的核心原因在于退市节奏明显加快。“从过去情况来看,EOL通常会在数年时间内逐步完成,但本轮MLC NAND的退出周期被压缩至约一年内完成。同时,AI需求快速增长推动产能向服务器相关产品倾斜,进一步加剧了MLC供应紧张。”
MLC NAND的终端需求主要来自工控、车用电子、医疗设备和网通等领域,这些应用对产品可靠度、写入寿命、长期供货承诺要求极为严格。其中,汽车行业受影响最为明显。
杨伊婷对21世纪经济报道记者指出,车规级MLC eMMC应用主要在T-BOX、仪表、HUD、中低端座舱等领域。“一般使用MLC的地方对性能容量要求低,基本不需要用到大容量UFS,够用即可。而车规级芯片和模块验证周期很长,且车规级零部件量产生命周期至少在3—5年,汽车以年为单位与原厂谈年价和供应,对AI存储供需的即时变化并不敏感,此前一度低估了存储供应短缺的严重程度,以及原厂停止MLC产线集中产能做高价值服务器存储的决心,使得汽车在存储涨价、缺货中受到的冲击最为明显。”
国产补位,商用转移
面对MLC供应断层,部分具备承接能力的厂商已开始行动。
TrendForce集邦咨询表示,因为MLC NAND Flash长期供货的供应体系出现断层,长期聚焦嵌入式与高可靠度存储器市场的旺宏,相对具备承接这项利基型需求的优势。旺宏已减少原有NOR Flash产能,以扩大MLC NAND Flash供应。
Jeongku Choi则对记者指出,当前2D NAND供给缺口较难完全填补。“国内厂商中,长江存储(YMTC)具备相对最大的可用产能,但其同样将优先满足服务器端对TLC与QLC产品的需求,以抓住AI带来的结构性机会,因此可用于缓解MLC短缺的空间有限。”
当然按照常规,终端市场终究会逐渐采用新一代技术和产品,因此转向更高工艺制程的TLC产品正成为趋势。
杨伊婷对记者表示,除铠侠继续供应车规级eMMC至2028年以外,国内存储厂商MLC也在通过自行设计及流片尝试填补部分供应缺口,同时汽车将加速64GB TLC eMMC/UFS的验证使用。
“下游MLC NAND应用确实将逐步向TLC迁移。”Jeongku Choi对记者指出,与仍在汽车等长生命周期基础设施中保持重要性的传统DRAM不同,MLC NAND在性能上已被SLC超越,在成本效率上又被TLC和QLC取代,其竞争优势正在被双向压缩。
“下游市场已开始向TLC和QLC迁移以降低成本,而随着上游MLC供应持续收紧,这一替代趋势预计将进一步加速。”但他也提到,由此带来的BOM成本上升,将压缩下游厂商利润,其中以服务网络设备厂商及大型OEM的工业与嵌入式供应商受影响最为明显。
集邦咨询也提到,长期来看,MLC NAND的主要终端市场成长幅度有限,且若部分应用加速导入强化版TLC解决方案,或整体NAND Flash市场景气明显反转,MLC产品价格仍可能间接承压。
从“大宗商品”到“利基奢侈品”,MLC NAND的命运变迁是AI时代存储产业资源再分配的一个缩影。上游原厂在资本支出和洁净室空间有限的前提下,毅然将产能向HBM、高层数3D NAND等更高利润产品倾斜,而曾经支撑汽车、工控、医疗等实体产业稳定运行的成熟存储产品,则因单位产值低而被加速淘汰。
这一趋势短期内难以逆转,下游终端市场不得不加速技术替代和供应链重构。
对于国内存储厂商而言,能否在海外巨头退出的间隙中,以稳定的供货能力和可靠的产品质量赢得客户信任,并在专利壁垒之下找到自主创新的突破口,将决定中国存储产业在这场全球格局重塑中能否真正站稳脚跟。
(作者:骆轶琪 编辑:包芳鸣)
